Mae effeithlonrwydd celloedd heterojunction o 26.6% ar wafferi silicon math P wedi'i gyflawni.

Mae'r heterojunction a ffurfiwyd ar y rhyngwyneb silicon amorffaidd / crisialog (a-Si:H / c-Si) yn meddu ar briodweddau electronig unigryw, sy'n addas ar gyfer celloedd solar heterojunction silicon (SHJ). Cyflawnodd integreiddio haen goddefol ultra-denau a-Si:H foltedd cylched agored uchel (Voc) o 750 mV. Ar ben hynny, gall yr haen gyswllt a-Si:H, wedi'i dopio â naill ai math n neu fath-p, grisialu i gyfnod cymysg, gan leihau amsugno parasitig a gwella detholusrwydd cludwyr ac effeithlonrwydd casglu.

Mae LONGi Green Energy Technology Co, Xu Xixiang Ltd, Li Zhenguo, ac eraill wedi cyflawni cell solar SHJ effeithlonrwydd 26.6% ar wafferi silicon math P. Defnyddiodd yr awduron strategaeth cyn-drin cael trylediad ffosfforws a defnyddio silicon nanocrystalline (nc-Si:H) ar gyfer cysylltiadau cludwr-ddethol, gan gynyddu'n sylweddol effeithlonrwydd y gell solar SHJ math-P i 26.56%, gan sefydlu meincnod perfformiad newydd ar gyfer P. -math o gelloedd solar silicon.

Mae'r awduron yn darparu trafodaeth fanwl ar ddatblygiad proses y ddyfais a gwella perfformiad ffotofoltäig. Yn olaf, cynhaliwyd dadansoddiad colli pŵer i bennu llwybr datblygu technoleg celloedd solar SHJ math P yn y dyfodol.