Cyflawnwyd effeithlonrwydd celloedd heterojunction o 26.6% ar wafferi silicon math P.

Mae'r heterojunction a ffurfiwyd yn y rhyngwyneb silicon amorffaidd/crisialog (A-Si: H/C-Si) yn meddu ar briodweddau electronig unigryw, sy'n addas ar gyfer celloedd solar heterojunction silicon (SHJ). Cyflawnodd integreiddio haen a-Si: H ultra-denau: H haen Passifation foltedd cylched agored uchel (VOC) o 750 mV. Ar ben hynny, gall yr haen gyswllt A-Si: H, wedi'i dopio â naill ai n-math neu fath P, grisialu i gyfnod cymysg, gan leihau amsugno parasitig a gwella detholusrwydd cludwyr ac effeithlonrwydd casglu.

Mae Longi Green Energy Technology Co, Ltd. Xu Xixiang, Li Zhenguo, ac eraill wedi cyflawni cell solar SHJ effeithlonrwydd 26.6% ar wafferi silicon math P. Cyflogodd yr awduron strategaeth pretreatment gettering trylediad ffosfforws a defnyddio silicon nanocrystalline (NC-Si: H) ar gyfer cysylltiadau detholus sy'n dethol gan gludwyr, gan gynyddu effeithlonrwydd y gell solar SHJ math P yn sylweddol i 26.56%, a thrwy hynny sefydlu perfformiad newydd ar gyfer p perfformiad newydd ar gyfer P Benchmark newydd ar gyfer P Perfformiad newydd ar gyfer p Celloedd solar silicon -type.

Mae'r awduron yn darparu trafodaeth fanwl ar ddatblygiad proses y ddyfais a gwella perfformiad ffotofoltäig. Yn olaf, cynhaliwyd dadansoddiad colli pŵer i bennu llwybr datblygu technoleg celloedd solar SHJ math P yn y dyfodol.